 |
Корпорация Intelў приняла решение о существенном ускорении темпов строительства в штате Орегон новой фабрики D1D по производству микропроцессоров на основе технологического процесса с применением 300-миллиметровых подложек. Это еще более упрочит лидерство Intel в автоматизации производства 300-мм пластин.
Увеличение диаметра пластин до 300 мм существенно - на 30% - снизит их себестоимость. Площадь поверхности увеличенных пластин более чем вдвое превышает площадь пластин с диаметром 200 мм, широко используемых сегодня на предприятиях по производству полупроводниковых изделий. Переход на новую технологическую норму обеспечит увеличение общей площади поверхности подложки на 225%, по сравнению со стандартной 200-миллиметровой пластиной, и позволит размещать на 240% больше кристаллов, чем на пластинах диаметром 200 мм. Упомянутое увеличение диаметра пластин означает также сокращение трудозатрат на 1 кристалл на 50%, что уменьшит себестоимость производства микросхем, снизит общую интенсивность использования производственных ресурсов и сократит количество отходов. Изготовление микросхем на 300-миллиметровых пластинах, по сравнению с производством на пластинах диаметром 200 мм, принесет также сокращение энергопотребления и расхода воды на 40%.
Еще в марте прошлого года Intel выпустила первую полноценную 300-миллиметровую пластину на базе 0,13-мкм технологии. Приступая в середине 2001 г. к строительству фабрики D1D, Intel исходила из того, что размер ассигнований на реализацию этого проекта будет зависеть от дальнейшего развития деловой конъюнктуры. Сложившиеся на данный момент экономические условия позволяют Intel выделить из бюджета текущего года достаточно средств для завершения основного объема работ по строительству фабрики D1D уже к осени 2002 г. (Планируется, что общий объем капиталовложений Intel в текущем году составит 5,5 млрд долл. США).
Строительство фабрики D1D ведется в промышленной зоне Intel, расположенной в местечке Ронлер-Акрз (штат Орегон), неподалеку от экспериментальной фабрики D1C - той самой, где в марте прошлого года были выпущены первые кристаллы на основе 0,13-микронной производственной технологии с применением 300-миллиметровых подложек. «Решение о продолжении строительства ускоренными темпами продиктовано стремлением Intel к сохранению своих позиций технологического лидера», - подчеркнул Суньлин Чжоу (Sunlin Chou), старший вице-президент корпорации и генеральный менеджер ее подразделения Technology and Manufacturing Group. По словам С. Чжоу, решение об ускоренном внедрении 300-миллиметровой технологии полностью отвечает основным принципам деятельности корпорации Intel: «Наша приверженность этой технологии обусловлена тем, что средства, вложенные в ее разработку и внедрение, полностью окупают себя за счет снижения себестоимости продукции».
Принципиальное решение Intel о внедрении 300-миллиметровой технологии было принято в середине 1999 г. на основании данных о впечатляющем потенциале роста производства микросхем. Вместе с тем в основе этого решения лежали и экономические соображения. Первым шагом на пути освоения 300-миллиметровой технологии стала разработка 0,13-микронного процесса, при этом переход на новый размер подложек потребовал принципиально нового оснащения производственных мощностей. Программа по внедрению 300-миллиметровой технологии разрабатывается подразделением Logic Technology Development (LTD) в штате Орегон.
По завершении строительства общая площадь помещений фабрики D1D, включающей в себя трехэтажные корпуса, собственную систему энергоснабжения, производственные мощности и стерильный «зал», составит 700 тыс. кв футов, или примерно 6,5 га. Полная стоимость строительства и оснащения фабрики составит около двух миллиардов долларов.«Фабрика D1D станет нашим очередным центром по разработке технологий завтрашнего дня, опережающих нынешние технологии на пару поколений, - подчеркнул С. Чжоу. - Такая значительная фора даст нашим разработчикам достаточно времени для отладки новейших технологических процессов и вывода их на пиковую мощность с возможностью их быстрого и точного воспроизведения в масштабах массового выпуска изделий. Переход фабрики D1D на массовое производство намечен на 2005 год».
Продолжение строительства фабрики D1D стало хорошей новостью для жителей штата Орегон. «Реализация проекта D1D означает создание новых рабочих мест на строительной площадке и на предприятиях Intel, рост позитивного воздействия проекта на хозяйственную жизнь округа Вашингтон и всего штата», - указал Майк Салсгивер (Mike Salsgiver), представитель местных органов власти штата Орегон.
Более подробную информацию о технологическом процессе производства микросхем с применением 300-миллиметровых пластин можно получить по адресу:http://www.intel.com/research/silicon/wafers.htm#waferspub
С фоторядом со строительной площадки в Ронлер-Акрз можно ознакомиться по адресу: http://www.intel.com/pressroom/kits/sites/oregon/ronler_acres_photos.htm
