 |
Распоряжением мэра Новосибирска на здании Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук будет установлена мемориальная доска, посвященная его организатору и бессменному руководителю академику Анатолию Ржанову.
Начиная с 1962 года, под руководством Ржанова институт вырос, окреп и превратился в один из крупнейших институтов Сибирского отделения, в котором успешно развиваются как прикладные, так и фундаментальные исследования в области физики полупроводников, полупроводниковой микроэлектроники, микрофотоэлектроники и акустоэлектроники. С именем академика Ржанова связано немало выдающихся открытий, в том числе - создание первого в СССР германиевого транзистора. Фундаментальные исследования на основе различных полупроводниковых материалов привели к разработке целого ряда современных технологий, нашедших применение в электронной промышленности. По инициативе Анатолия Ржанова, в Институте физики полупроводников был развит ряд новых научных направлений, которые стали базой современных полупроводниковых приборов и устройств СВЧ. В настоящее время Институт физики полупроводников является единственным специализированным институтом этого профиля в Российской Федерации.
