 |
Ученые корпорации Intel создали самые быстрые кремниевые транзисторы в мире, тем самым продемонстрировав, что непреодолимых барьеров для продолжения действия закона Мура до конца этого десятилетия не существует. Новые транзисторы с элементами размером всего 20 нанометров позволят Intel создать примерно к 2007 г. микропроцессоры, которые будут содержать порядка миллиарда транзисторов и работать на частоте до 20 ГГц при напряжении питания менее одного вольта.
Исследователи Intel Labs рассказали об этих достижениях вчера в г. Киото, Япония, на конференции инженеров и ученых, занимающихся полупроводниками - Silicon Nanoelectronics Workshop 2001.
"Эти исследования демонстрируют, что Intel уже перешла в эпоху нанотехнологий в области полупроводников, - считает директор лаборатории Components Research Lab подразделения Intel Technology and Manufacturing Group доктор Джеральд Марсик (Gerald Marcyk). - Наши достижения в области создания транзисторов показывают, что мы способны продлить действие закона Мура как минимум еще на три поколения технологий".
Многие исследователи говорили о том, что в будущем нанотехнология вытеснит полупроводниковую, однако достижения Intel свидетельствуют о том, что эти технологии на самом деле дополняют друг друга.
"Мы до сих пор не достигли барьера на пути сокращения размеров кремниевых транзисторов, - добавляет член ученого совета Intel, руководитель исследований в области транзисторов подразделения Intel Logic Technology Development д-р Роберт Чу (Robert Chau). - Темпы развития полупроводниковых технологий растут, а не замедляются".
20-нанометровые транзисторы, разработанные учеными Intel Labs, на 30% меньше и на 25% быстрее самых быстродействующих транзисторов, которые также были созданы специалистами Intel. (Примечание: нанометр (нм) - одна миллиардная часть метра). Чем меньше транзистор, тем быстрее он работает, а быстродействующие транзисторы - это основные элементы мощных микропроцессоров, которые используются в компьютерах и множестве других "интеллектуальных" устройств. Такие транзисторы составят основу нового поколения технологических процессов 45 нм (0,045 мкм), которые Intel планирует внедрить в производство ориентировочно в 2007 г.
Новые транзисторы, которые работают как вентили, управляющие потоками электронов в микросхеме, могут включаться и выключаться более триллиона раз в секунду. Построенные на их основе микропроцессоры смогут выполнять почти миллиард операций в мгновение ока или четыре миллиона операций за то время, как пуля пролетает расстояние в один дюйм, т.е. 2,5 см.
Специалистам Intel удалось создать новые сверхминиатюрные транзисторы и в очередной раз добиться успеха на пути сокращения их размеров. Толщина пленки оксида, используемой для формирования затвора этих транзисторов, составляет всего лишь три атомарных слоя. Чтобы получить толщину бумажного листа, пришлось бы уложить друг на друга более 100 тыс. таких слоев оксидной пленки.
Следует отметить, что экспериментальные транзисторы, в которых реализованы возможности, значительно опережающие сегодняшние технологии производства, имеют ту же физическую структуру и изготовлены из тех же материалов, что и современные компьютерные чипы. На стадии внедрения в промышленное производство Intel планирует использовать для формирования оксидной пленки затвора другой тип материалов.
Intel Labs - подразделение Intel, которое занимается исследованиями и разработками, - насчитывает в своем штате более 6.000 ученых и специалистов, работающих в лабораториях корпорации по всему миру. У этих лабораторий децентрализованная структура, и они имеют значительные собственные ресурсы, которые дополняются многочисленными внешними исследовательскими программами, проводимыми совместно с университетами, государственными научными учреждениями и промышленными консорциумами. Такая нетрадиционная структура позволяет Intel охватить более широкий спектр исследовательских проектов. Лаборатории тесно взаимодействуют с производственными подразделениями Intel, что помогает им разрабатывать технологии с учетом реальных нужд клиентов Intel и потребителей ее продукции.
Более подробная информация об исследованиях Intel в области технологий производства полупроводниковых компонентов размещена на новом тематическом web-сайте Intel по адресу www.intel.com/research/silicon. Информацию о других исследовательских проектах Intel Labs можно получить по адресу www.intel.com/labs.
